图片仅供参考,产品以实物为准
#1 |
数量:351 |
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最小起订量:1 美国加州 当天发货，1-3个工作日送达. |
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#2 |
数量:774 |
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最小起订量:30 英国伦敦 当天发货，5-8个工作日送达. |
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#3 |
数量:105 |
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最小起订量:1 新加坡 当天发货，5-8个工作日送达. |
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| 规格书 |
 NJW2119(3, 4)G |
| Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
| 标准包装 | 30 |
| 晶体管类型 | NPN |
| - 集电极电流（Ic）（最大） | 16A |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 250V |
| Vce饱和（最大）@ IB，IC | 4V @ 3.2A, 16A |
| 电流 - 集电极截止（最大） | 100µA |
| 直流电流增益（HFE）（最小值）@ IC，VCE | 20 @ 8A, 5V |
| 功率 - 最大 | 200W |
| 频率转换 | 4MHz |
| 安装类型 | Through Hole |
| 包/盒 | TO-3P-3, SC-65-3 |
| 供应商器件封装 | TO-3P |
| 包装材料 | Tube |
| 包装 | 3TO-3P |
| 类型 | NPN |
| 引脚数 | 3 |
| 最大集电极发射极电压 | 250 V |
| 集电极最大直流电流 | 16 A |
| 最小直流电流增益 | 20@8A@5V |
| 最大工作频率 | 4(Min) MHz |
| 最大集电极发射极饱和电压 | 1.4@0.8A@8A|4@3.2A@16A V |
| 最大集电极基极电压 | 400 V |
| 工作温度 | -65 to 150 °C |
| 最大功率耗散 | 200 mW |
| 安装 | Through Hole |
| 标准包装 | Rail / Tube |
| 集电极最大直流电流 | 16 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最高工作温度 | 150 |
| 标准包装名称 | TO-3P |
| 最低工作温度 | -65 |
| 最大功率耗散 | 200 |
| 最大基地发射极电压 | 5 |
| Maximum Transition Frequency | 4(Min) |
| 封装 | Rail |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 最大集电极基极电压 | 400 |
| 供应商封装形式 | TO-3P |
| 最大集电极发射极电压 | 250 |
| 电流 - 集电极（ Ic）（最大） | 16A |
| 晶体管类型 | NPN |
| 安装类型 | Through Hole |
| 频率 - 转换 | 4MHz |
| 下的Vce饱和度（最大） Ib，Ic条件 | 4V @ 3.2A, 16A |
| 电流 - 集电极截止（最大） | 100µA |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 250V |
| 供应商设备封装 | TO-3P |
| 功率 - 最大 | 200W |
| 封装/外壳 | TO-3P-3, SC-65-3 |
| 直流电流增益（ hFE）（最小值） Ic，Vce时 | 20 @ 8A, 5V |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 工厂包装数量 | 30 |
| 增益带宽产品fT | 4 MHz |
| 产品种类 | Transistors Bipolar - BJT |
| 晶体管极性 | NPN |
| 发射极 - 基极电压VEBO | 5 V |
| 直流集电极/增益hfe最小值 | 20 at 8 A at 5 V |
| 直流电流增益hFE最大值 | 20 at 8 A at 5 V |
| 集电极 - 发射极最大电压VCEO | 250 V |
| 安装风格 | Through Hole |
| 集电极 - 基极电压VCBO | 400 V |
| 最低工作温度 | - 65 C |
| 配置 | Single |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| RoHS | RoHS Compliant |
| Collector Emitter Voltage V(br)ceo | :250V |
| Transition Frequency ft | :4MHz |
| 功耗 | :200mW |
| DC Collector Current | :16A |
| DC Current Gain hFE | :20 |
| No. of Pins | :3 |
| MSL | :- |
| Weight (kg) | 0.005 |
| Tariff No. | 85412900 |
| associated | 80-4-5 |
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